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MG630063-5 发布时间 时间:2025/6/22 5:59:36 查看 阅读:21

MG630063-5是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该器件采用了先进的沟槽式技术,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。MG630063-5适用于要求高效率和高可靠性的工业及消费类电子产品。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:6.3A
  导通电阻:0.12Ω
  栅极电荷:45nC
  输入电容:1080pF
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

MG630063-5具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻设计,有效降低功耗并提升系统效率。
  2. 快速开关特性,适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  4. 采用TO-220标准封装,便于散热和安装。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 支持广泛的电压和电流范围,适应多种应用场景。

应用

MG630063-5的主要应用包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
  2. 电机驱动电路中的开关元件。
  3. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  4. LED照明驱动电路。
  5. 各种工业控制设备和家用电器中的功率管理模块。

替代型号

IRF840
  FQP6N60
  STP6NK60Z

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