MG630063-5是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该器件采用了先进的沟槽式技术,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。MG630063-5适用于要求高效率和高可靠性的工业及消费类电子产品。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:6.3A
导通电阻:0.12Ω
栅极电荷:45nC
输入电容:1080pF
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
MG630063-5具有以下显著特性:
1. 低导通电阻设计,有效降低功耗并提升系统效率。
2. 快速开关特性,适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 采用TO-220标准封装,便于散热和安装。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
6. 支持广泛的电压和电流范围,适应多种应用场景。
MG630063-5的主要应用包括:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
2. 电机驱动电路中的开关元件。
3. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
4. LED照明驱动电路。
5. 各种工业控制设备和家用电器中的功率管理模块。
IRF840
FQP6N60
STP6NK60Z