时间：2025/12/25 7:59:59
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MG620426是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率应用。它具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、电机控制和DC-DC转换器等应用。该器件通常采用TO-263或TO-220封装形式，以提供良好的热管理和高可靠性。
类型：功率MOSFET
封装类型：TO-263（D2Pak）或TO-220
最大漏极电流（ID）：160A（典型值）
最大漏极-源极电压（VDS）：60V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约2.2mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
最大功耗：约200W
栅极电荷：约150nC
漏极电容：约1800pF
MG620426是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗。这种器件采用了先进的沟槽技术，提高了导电效率并减少了开关损耗。其高耐压能力（60V）使其适用于多种电源管理应用，包括DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。
此外，MG620426的封装设计提供了良好的热性能，确保在高功率操作下的稳定性和可靠性。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下正常工作，从而提高了系统的耐用性和寿命。
由于其高电流处理能力和低导通电阻，MG620426在电源管理系统中被广泛使用。它适用于需要高效率和高可靠性的应用，如服务器电源、电信设备和工业控制系统。
MG620426广泛应用于各种高功率电子设备中，包括DC-DC转换器、电源管理系统、电机驱动器和负载开关电路。它在服务器电源、电信设备和工业控制系统中特别有用，因为它能够处理高电流并在高温环境下稳定工作。此外，该器件还可用于电池管理系统和电动工具中的功率控制电路。
IRF1404、SiS620426、AUIRF1404
