时间：2025/8/17 2:28:46
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CJP50N06是一款由CJ（长电科技）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率开关应用中。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等场景。其封装形式通常为TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
连续漏极电流（ID）：50A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.018Ω（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：125W（在TC=25℃时）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
CJP50N06是一款高性能N沟道功率MOSFET，具有较低的导通电阻（RDS(on)），可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件在VGS=10V时，RDS(on)典型值仅为0.018Ω，适用于高效率电源转换系统。其最大漏源电压为60V，连续漏极电流可达50A，具备良好的电流承载能力，适用于大功率负载切换和电机驱动等高电流应用。
CJP50N06采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。其内部结构优化设计，提升了器件的雪崩能量耐受能力，增强了在高压和高电流条件下的可靠性。
此外，该MOSFET具备较快的开关速度，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流电路等。其栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平驱动（如5V或10V），适用于多种控制电路设计。CJP50N06还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。
CJP50N06常用于需要高效功率控制的场合，如DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电源开关、电机驱动电路、LED驱动器、工业自动化设备和电源适配器等。其优异的导通特性和高电流能力使其在电动车、工业电源、服务器电源和家用电器中也具有广泛应用前景。
IPD50N06S4-03, FDP50N06, STP50NF06, FQP50N06
