时间:2025/12/25 7:43:42
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MG610404是一款由MagnChip公司推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等领域。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,适用于中高功率的电子设备设计。MG610404采用标准的表面贴装封装形式,便于PCB布局和自动化生产。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):40V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):10A
导通电阻(RDS(on)):32mΩ @ VGS=10V
功率耗散(PD):3.5W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
MG610404采用了先进的沟槽式MOSFET工艺,具有极低的导通电阻,从而减少了导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体效率。其40V的漏源电压额定值使其适用于多种中压功率转换应用,如同步整流、电机驱动和电源开关等。
该MOSFET具备较高的电流承载能力,在10A连续漏极电流下仍能保持稳定运行,适用于要求较高负载能力的电路设计。此外,MG610404的栅极驱动电压范围宽泛,支持10V至20V之间的驱动电压,便于与多种类型的驱动电路兼容。
在热管理方面,MG610404的TO-252封装具有良好的散热性能,能够在高功率密度环境下保持较低的工作温度,从而延长器件寿命并提升系统可靠性。此外,该器件还具备较强的抗雪崩击穿能力,可在瞬态过压情况下提供额外的安全保障。
值得一提的是,MG610404在设计上优化了开关性能,具有较低的输入和输出电容,有助于减少开关过程中的能量损耗,提高开关速度,适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用场景。
MG610404适用于多种功率电子系统,例如:同步整流型DC-DC转换器、负载开关电路、电池管理系统(BMS)、电动工具电源控制、工业自动化设备中的功率开关、LED照明驱动电路以及便携式电子设备的电源管理模块。由于其优异的导通性能和热稳定性,MG610404也常用于需要高效能和高可靠性的车载电子系统和通信设备中。
Si4410BDY-T1-GE3, IRFZ44N, FDS4410, AO4406A