时间：2025/9/2 11:14:25
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H5MS5162EFR-J3M 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高密度、高性能存储器产品线。该芯片采用先进的DRAM技术，具有高容量、低功耗和高速数据访问能力，适用于各种高性能计算和存储需求的应用场景。H5MS5162EFR-J3M 通常用于服务器、工作站、高端个人计算机、网络设备和其他需要大量内存支持的电子设备。
类型: DRAM
容量: 256MB
数据总线宽度: x16
电压: 1.8V - 3.3V
封装类型: TSOP
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
最大访问时间: 5.4ns
最大工作频率: 166MHz
刷新周期: 64ms
封装尺寸: 54mm x 44mm
H5MS5162EFR-J3M 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，专为满足现代高性能计算系统的需求而设计。其核心特性包括高达166MHz的工作频率，使得数据访问速度非常快，适合需要快速响应的应用场景。该芯片支持1.8V至3.3V的宽电压范围，提供了良好的兼容性和灵活性，能够适应不同的电源管理方案。此外，H5MS5162EFR-J3M 还具备64ms的刷新周期，确保了数据在断电情况下仍能保持较长时间的稳定性。
这款DRAM芯片采用TSOP（薄型小外形封装）技术，封装尺寸为54mm x 44mm，便于在各种电路板上安装和使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在极端环境下稳定运行，适用于工业级和商业级应用。H5MS5162EFR-J3M 还具备低功耗特性，适用于对能耗敏感的设备，如便携式电子产品和嵌入式系统。此外，该芯片支持x16的数据总线宽度，进一步提升了数据传输效率，满足大数据处理的需求。
H5MS5162EFR-J3M 主要应用于需要高性能内存支持的电子设备，包括服务器、工作站、高端个人计算机、网络设备（如路由器和交换机）、嵌入式系统以及工业控制系统。由于其高速数据访问能力和低功耗设计，该芯片也广泛应用于视频处理设备、通信设备和消费类电子产品，如高端平板电脑和游戏主机。在服务器和工作站环境中，H5MS5162EFR-J3M 可以作为主存储器使用，提供快速的数据存取能力，提升系统整体性能。在网络设备中，该DRAM芯片可以支持高速数据包处理和缓存，确保网络传输的稳定性和高效性。在工业控制和自动化系统中，H5MS5162EFR-J3M 提供了可靠的内存解决方案，支持实时数据处理和存储。
H5MS5162ETM-J3M, H5MS5162EFR-J4M
