电容值：100nF (104表示10 x 10^4 pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：100V
　　介质材料：X7R（工作温度范围-55°C至+125°C）
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　温度特性：Class II
　　损耗角正切（tanδ）：≤2.5%
　　绝缘电阻：≥10,000MΩ
　　工作温度范围：-55°C至+125°C

MG21N104K100CT 电容器采用多层陶瓷结构，具备优异的电气性能和机械强度。其X7R介质材料保证了在宽温度范围内电容值的稳定性，容差控制在±10%以内，适用于大多数模拟和数字电路中的去耦和滤波应用。该电容器的工作电压为100V，能够在较高电压环境下稳定运行，不会轻易发生击穿或漏电流过大的问题。此外，其1210封装尺寸在提供足够电容容量的同时，也兼顾了PCB空间利用效率，适合高密度组装。
　　MG21N104K100CT 具备低等效串联电阻（ESR）和良好的高频响应特性，使其在开关电源、DC-DC转换器、FPGA供电电路等高频应用场景中表现出色。此外，该元件具有良好的耐湿性和抗老化性能，确保了在恶劣环境条件下的长期可靠性。其高绝缘电阻（≥10,000MΩ）和低损耗角正切（tanδ ≤ 2.5%）进一步提升了系统的能效和稳定性，适用于对电性能要求较高的工业和汽车电子应用。

MG21N104K100CT 多层陶瓷电容器广泛应用于各类电子设备中。在工业自动化系统中，它常用于电源滤波和信号调理电路，以提高系统的稳定性和抗干扰能力。在通信设备中，该电容器可作为射频电路的旁路电容，有效抑制高频噪声。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中，MG21N104K100CT 用于电源管理模块和高速数据接口的去耦滤波。此外，在汽车电子系统中，包括车载导航、ECU（电子控制单元）、车载娱乐系统等，该电容器凭借其宽工作温度范围和高可靠性，能够满足严苛的环境要求。

GRM319R71H104KA01L, C2220X7R1H104K16TAA, CL21B104KBQNNNE