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BZX84J-C4V3,115 发布时间 时间:2025/9/13 21:50:36 查看 阅读:3

BZX84J-C4V3,115 是一款由Nexperia(原恩智浦半导体的一部分)制造的表面贴装齐纳二极管(稳压二极管),属于BZX84系列的低功率齐纳二极管产品。该器件主要用于电压参考和稳压应用,适用于便携式电子设备、电源管理电路、电池供电系统等场景。其标称齐纳电压为4.3V(在测试电流IZT下),具有良好的温度稳定性和较小的动态阻抗,适合用于精密电压调节和电路保护。

参数

类型:齐纳二极管
  封装形式:SOT-23(SMD)
  最大耗散功率:300 mW
  齐纳电压(标称):4.3 V
  齐纳电流(测试条件):10 mA
  最大齐纳电流:100 mA
  工作温度范围:-65°C ~ 150°C
  存储温度范围:-65°C ~ 150°C
  最大反向漏电流:100 nA @ VR=1 V
  动态阻抗:350 Ω(最大)@ IZT
  封装规格:SOT23-3

特性

BZX84J-C4V3,115 齐纳二极管具有多项优良特性,适用于多种电子电路中的稳压与参考电压需求。首先,该器件采用SOT-23表面贴装封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,并具有良好的热性能和机械稳定性。其次,其额定功率为300mW,能够在较宽的环境温度范围内(-65°C至+150°C)稳定工作,满足工业级应用的需求。
  在电气性能方面,BZX84J-C4V3,115 的标称齐纳电压为4.3V,在测试电流IZT为10mA时具有良好的电压精度,最大齐纳电流可达100mA,确保在不同负载条件下仍能保持稳定的电压输出。其动态阻抗最大为350Ω,在变化的电流条件下可维持较低的电压波动,从而提高系统的稳定性和精度。此外,该器件的反向漏电流极低,在1V反向电压下最大仅为100nA,有助于减少不必要的功耗并提高能效。
  该齐纳二极管还具有良好的温度稳定性,内部采用高精度制造工艺,使得其电压随温度变化率较低,适用于对温度敏感的应用场景。BZX84J-C4V3,115 的设计使其成为电池供电设备、便携式仪表、电源监控电路以及低功耗电子产品的理想选择。

应用

BZX84J-C4V3,115 主要用于需要精确电压参考或稳压功能的电子系统中。例如,在电源管理电路中,它可作为基准电压源,为比较器、运算放大器或ADC/DAC电路提供稳定的参考电压;在电池充电电路中,可用于检测和调节充电电压,防止过压损坏电池;在微控制器系统中,可为复位电路或电压监测模块提供稳定的阈值电压。
  此外,该器件也广泛应用于传感器电路、便携式医疗设备、智能穿戴设备、消费类电子产品和工业控制设备中,用于稳定供电电压或作为电压钳位保护元件,以防止瞬态电压对系统造成损坏。其SOT-23封装也使其适合用于自动化贴片生产线,提高制造效率和产品一致性。

替代型号

BZX84C4V3LT1G, BZX84-C4V3, BZX84J-C4V3,133, MMSZ4684T1G

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BZX84J-C4V3,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)4.3V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电3µA @ 1V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大550mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)90 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-90,SOD-323F
  • 供应商设备封装SOD-323F
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称934061007115BZX84J-C4V3 T/RBZX84J-C4V3 T/R-ND