时间：2025/6/27 17:22:36
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IDT7164S55TDB 是由 Integrated Device Technology（IDT）公司推出的一款高速静态随机存取存储器（SRAM），属于异步SRAM类别。该芯片采用高性能CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问时间的特点，适用于需要快速数据读写操作的嵌入式系统、通信设备以及工业控制等领域。
该器件封装形式为28引脚SSOP（Shrink Small Outline Package），便于在空间受限的应用中使用。其容量为8K x 8位（即64Kb），支持独立的数据输入与输出，适合用作缓存、临时数据存储或其他对速度有较高要求的场景。
IDT7164S55TDB
容量：64Kbit (8K x 8)
组织方式：x8
电源电压：3.3V 或 5V 可选
访问时间：5.5ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：28-TSSOP
封装尺寸：约9.4mm x 5.3mm
接口类型：并行异步接口
读写周期时间：10ns（最小）
最大读电流：10mA（典型值）
最大待机电流：10μA（典型值）
输入/输出电平：兼容TTL/CMOS
高速度：IDT7164Sns），确保了在高速系统中的可靠性能，适合实时应用环境。
宽电压供电：该芯片可在3.3V或5V电压下工作，增强了与其他外围电路的兼容性，并适应多种设计需求。
低功耗设计：即使在高速运行状态下，该SRAM仍保持较低的功耗水平，特别适合电池供电或对热管理敏感的应用场合。
宽温工作范围：支持-40°C至+85°C的工作温度范围，使其适用于工业级及恶劣环境下的稳定运行。
高可靠性：采用先进的CMOS技术，提高了抗干扰能力与稳定性，延长了使用寿命。
标准并行接口：易于集成到现有的微处理器、控制器或其他数字系统中，无需额外的逻辑转换电路。
小型化封装：28-TSSOP封装节省PCB空间，有利于便携式设备和高密度电路板的设计。
广泛应用于通信模块、工业控制系统、网络设备、图像处理系统、嵌入式控制器、测试仪器、消费电子产品中的高速缓存等场景。
CY62167EVLL-SI75ZE, IS62C256ALBTA55TFI-TR
