时间：2025/6/17 9:50:08
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MG15N470J500CT 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET，广泛应用于高频开关电源、逆变器、电机驱动以及工业电源等高效率场景。该器件具有较低的导通电阻和快速的开关速度，可显著降低功率损耗并提升系统效率。
MG15N470J500CT 使用先进的碳化硅技术制造，能够在高电压和高温环境下保持优异性能，同时其紧凑的设计有助于减少整体系统的尺寸和重量。
额定电压：1200V
额定电流：47A
导通电阻：35mΩ（典型值）
栅极电荷：90nC（最大值）
开关频率：高达500kHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-4L
MG15N470J500CT 的主要特性包括：
1. 高耐压能力：支持高达1200V的工作电压，适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻：仅35mΩ的典型导通电阻显著降低了传导损耗。
3. 快速开关性能：极低的开关损耗和栅极电荷使得该器件非常适合高频应用。
4. 高温稳定性：能够在最高+175℃的结温下可靠运行，适合苛刻的工业条件。
5. 四引脚TO-247封装：通过优化的Kelvin源极设计进一步减少了寄生电感，改善了动态性能。
6. 碳化硅材料优势：与传统硅基MOSFET相比，具备更高的效率和更好的热性能。
MG15N470J500CT 常用于以下领域：
1. 高频DC-DC转换器：
在服务器电源、通信基站和储能系统中实现高效能量转换。
2. 太阳能逆变器：
提供更高效的功率处理以提高光伏系统的整体输出。
3. 电动汽车 (EV) 充电桩：
支持快速充电功能，同时减少发热和体积需求。
4. 工业电机驱动：
实现更精确的速度控制并降低能耗。
5. 不间断电源 (UPS)：
提升系统的稳定性和可靠性。
MG15N470J400CT, C2M0047120D, SCT2470K
