MG15N330J500CT是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用N沟道增强型技术,具有较低的导通电阻和较高的电流承受能力。其封装形式通常为TO-247或TO-220,适用于高散热需求的应用环境。
MG15N330J500CT的主要特点是能够在高电压条件下工作,并且具备快速开关速度和良好的热稳定性,使其成为工业和汽车领域中常用的功率器件。
最大漏源电压:1500V
连续漏极电流:33A
导通电阻:0.06Ω
栅极电荷:85nC
总功耗:250W
工作温度范围:-55℃ to +150℃
MG15N330J500CT具备以下显著特性:
1. 高耐压性能,支持高达1500V的漏源电压,适用于高压环境 较低的导通电阻(0.06Ω),有助于减少功率损耗,提高系统效率。
3. 快速开关速度,可实现高频操作,适合现代电力电子设备的需求。
4. 良好的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持稳定的性能。
5. 采用标准TO-247封装,便于安装和散热设计。
6. 具备优异的电气特性和可靠性,满足严苛的工业应用要求。
MG15N330J500CT主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的高压功率控制。
5. 汽车电子系统中的直流-直流转换器。
6. 高频电源和脉冲电源等对效率和可靠性能有较高要求的场景。
IRFP260N, STP30NF15K5, FDP15N150A