IR3P90Y-1 时间：2025/8/27 19:43:22 阅读：7

IR3P90Y-1 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于其 OptiMOS? 系列。这款 MOSFET 主要设计用于高效率、高频开关应用，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关等场景。IR3P90Y-1 采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能，能够在高负载条件下稳定工作。

参数

类型：功率 MOSFET
　　制造商：Infineon Technologies
　　系列：OptiMOS?
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：120A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：4.3mΩ（典型值）
　　封装类型：PG-HSOF-8
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　安装类型：表面贴装
　　功率耗散（Ptot）：120W
　　技术：增强型 MOSFET
　　极性：N沟道

特性

IR3P90Y-1 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，采用英飞凌的 OptiMOS? 技术制造，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为 4.3mΩ，这使得器件在高电流工作条件下能够显著降低传导损耗，提高整体效率。该器件支持高达 120A 的连续漏极电流，适用于高功率密度应用。
　　此外，IR3P90Y-1 具有宽广的工作温度范围（-55°C 至 175°C），使其能够在极端环境条件下可靠运行。该 MOSFET 使用 PG-HSOF-8 封装，具有良好的热管理和空间效率，适合在紧凑型 PCB 设计中使用。
　　由于其栅极电荷（Qg）较低，并且具有快速开关特性，IR3P90Y-1 在高频开关应用中表现出色，适用于诸如同步整流器、负载开关和 DC-DC 转换器等场景。该器件还具备出色的雪崩能量耐受能力，增强了其在高应力条件下的可靠性。
　　总体而言，IR3P90Y-1 是一种高效、可靠且适用于多种电源管理应用的功率 MOSFET，尤其适合需要高效率和高电流能力的设计。

应用

IR3P90Y-1 常用于各种高性能电源管理系统中，包括同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电源模块和高功率密度的开关电源（SMPS）等应用场景。由于其低导通电阻和优异的开关性能，该器件特别适合用于高频率和高效率要求的应用，如服务器电源、电信设备、工业控制系统以及电动工具和电池供电设备中的功率管理电路。