时间：2025/6/9 9:27:35
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MG15N101J500CT是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
该型号采用TO-220封装形式，能够提供出色的散热性能和电气稳定性，适用于大电流和高电压的应用场景。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：15A
栅极电荷：68nC
导通电阻：14mΩ
工作结温范围：-55℃至+175℃
总功耗：140W
MG15N101J500CT具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为14毫欧，可有效降低功率损耗。
2. 高效的开关性能，通过优化的栅极电荷设计，确保快速切换。
3. 良好的热稳定性和耐用性，能够在极端温度范围内可靠运行。
4. 强大的电流承载能力，支持高达15安培的连续漏极电流。
5. 集成了多种保护功能，如过流保护和短路保护，提高系统可靠性。
6. TO-220封装提供优秀的散热管理，简化了PCB布局和散热设计。
MG15N101J500CT广泛用于各种高功率电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. DC-DC转换器及逆变器的核心元件。
4. 各类工业控制设备中的功率转换模块。
5. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
其强大的电流处理能力和高效的工作效率使其成为众多功率应用的理想选择。
IRFZ44N
STP15NF06
FDP15N10S
