器件类型：肖特基二极管
　　配置：单路
　　封装/外壳：SMC（DO-277）
　　最大重复反向电压（VRRM）：35V
　　最大直流阻断电压（VR）：35V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：0.5V（在1A, TJ=25°C时）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA（在35V, TJ=25°C时）
　　反向恢复时间（trr）：典型值<10ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约70°C/W（依PCB布局而定）
　　安装类型：表面贴装

MFUSMF0352的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种技术通过金属与N型半导体之间的接触形成势垒，而非传统的PN结，从而实现了比常规硅二极管更低的正向导通压降。在1A电流下，其典型正向压降仅为0.5V左右，显著低于普通整流二极管的0.7V以上水平，这意味着在相同工作条件下，该器件的导通损耗更小，发热量更低，有助于提升电源系统的转换效率。尤其在低压大电流输出的DC-DC转换器中，这种低VF特性可以带来明显的能效改善。
　　另一个关键特性是其近乎理想的快速开关行为。由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此在关断过程中几乎没有反向恢复电荷（Qrr），反向恢复时间（trr）极短，通常小于10ns。这一特点使其非常适合用于高频开关电路，如同步整流拓扑或反激式电源中的续流路径，能够有效抑制因二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），同时降低主开关管的开关应力，延长系统寿命。
　　从可靠性角度来看，MFUSMF0352设计有较高的热稳定性，其最高工作结温可达+150°C，允许在高温环境下持续运行。SMC封装提供了良好的散热性能，配合适当的PCB铜箔面积设计，可有效传导热量，避免局部过热导致失效。此外，该器件通过了严格的工业级认证，具备良好的抗湿性、机械强度和焊接兼容性，适用于回流焊工艺，确保批量生产的一致性和良率。综合来看，MFUSMF0352在效率、速度和可靠性之间取得了良好平衡，是中小功率电源设计中的优选方案之一。

MFUSMF0352广泛应用于各类需要高效、快速整流功能的电源系统中。常见使用场景包括便携式消费类电子产品中的DC-DC降压或升压转换器，例如智能手机、平板电脑、移动电源等设备的电源管理模块，在这些应用中，该二极管常被用作续流二极管或防止电池反接的保护元件，凭借其低正向压降优势有效延长电池续航时间。
　　在通信设备和网络终端设备中，MFUSMF0352可用于隔离不同电源域之间的电流回路，或作为辅助电源的整流元件。其快速响应能力也使其适用于高频开关电源（SMPS）中的次级侧整流环节，尤其是在非同步反激或正激拓扑中替代传统快恢复二极管，以减少能量损耗并提升整体效率。
　　此外，该器件还常见于工业控制板、嵌入式系统和LED驱动电源中，用于防止电源反接损坏敏感IC，或在待机电源路径中提供低损耗的供电通道。由于其表面贴装封装形式，特别适合自动化贴片生产线，适用于大批量制造场景。汽车电子中的部分低压辅助系统（如车载信息娱乐系统、传感器供电模块）也可能采用此类规格的肖特基二极管，前提是满足相应的AEC-Q101可靠性标准（需确认具体型号是否通过车规认证）。总之，凡是对效率、体积和响应速度有一定要求的低压整流场合，MFUSMF0352均是一个可靠且经济的选择。

MURS130T3G
　　SBM1035LSME3/5AT
　　FDL100P35B