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MF-MSMD110 发布时间 时间:2025/12/27 20:13:11 查看 阅读:16

MF-MSMD110是一款由Monolithic Power Systems(MPS)公司生产的高效率、单片式同步降压变换器芯片,广泛应用于需要高效电源转换的便携式设备和嵌入式系统中。该器件集成了高压侧和低压侧功率MOSFET,能够在宽输入电压范围内提供稳定的输出电压,并具备出色的负载和线路瞬态响应能力。MF-MSMD110采用电流模式控制架构,简化了环路补偿设计,同时提升了系统的稳定性和动态性能。其封装形式紧凑,适用于空间受限的应用场景,如消费类电子产品、工业控制系统、网络通信设备以及电池供电系统等。
  该芯片内置多种保护机制,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和输出短路保护,确保在异常工作条件下仍能安全运行。此外,MF-MSMD110支持可编程软启动功能,有助于限制启动时的浪涌电流,避免对输入电源造成冲击。通过外部电阻分压器,用户可以灵活设置输出电压,适应不同的系统需求。整体设计旨在实现高效率、高可靠性和小尺寸的电源解决方案,满足现代电子设备对能效和集成度的严苛要求。

参数

型号:MF-MSMD110
  制造商:Monolithic Power Systems (MPS)
  拓扑结构:同步降压(Buck)
  输入电压范围:4.5V 至 18V
  输出电压范围:0.8V 至 5.5V(可调)
  最大输出电流:3A
  开关频率:典型值500kHz(可调)
  控制模式:峰值电流模式控制
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C(TJ)
  封装类型:QFN-16(3mm x 3mm)
  静态电流:典型值45μA(关断模式下更低)
  占空比范围:0% 至 100%
  反馈参考电压:0.8V ±1%
  导通电阻(HS-FET):约80mΩ
  导通电阻(LS-FET):约50mΩ

特性

MF-MSMD110采用先进的BCD工艺制造,集成了高压侧和低压侧MOSFET,显著减少了外部元件数量,降低了整体解决方案的尺寸和成本。其电流模式控制架构不仅提供了快速的瞬态响应,还允许使用陶瓷电容等低ESR输出电容,进一步提升滤波效果和系统稳定性。芯片内部集成了斜坡补偿电路,有效防止在占空比大于50%时发生次谐波振荡,从而保证全输入电压和负载范围内的稳定运行。
  为了优化轻载效率,MF-MSMD110支持自动脉冲跳跃(Auto Pulse-Skipping)模式,在轻负载或待机状态下自动切换至低功耗工作模式,大幅降低静态功耗,延长电池寿命。该特性特别适用于移动设备和物联网终端等对能效敏感的应用场景。同时,芯片具备精确的使能(EN)引脚阈值,允许通过外部逻辑信号或分压网络实现输入欠压锁定(UVLO)功能,增强系统电源管理的灵活性。
  热关断保护(OTP)和逐周期电流限制功能为系统提供了坚实的故障防护。当结温超过设定阈值时,芯片将自动关闭输出并进入打嗝模式,待温度下降后重新启动,避免持续高温损坏器件。此外,可编程软启动功能通过外接电容设定启动时间,有效抑制上电过程中的浪涌电流,保护输入电源和后级电路。所有这些特性共同构成了一个高可靠性、高性能的DC-DC转换解决方案,适合在复杂电磁环境和宽温域条件下长期稳定运行。

应用

MF-MSMD110适用于多种需要高效、紧凑型电源设计的应用领域。在消费类电子产品中,常用于智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机等设备的主电源或辅助电源轨供电。其高效率和小封装优势使其成为电池供电设备的理想选择,有助于延长续航时间并节省PCB空间。
  在工业自动化领域,该芯片可用于PLC模块、传感器节点、工业HMI和远程I/O系统中的板级电源管理。其宽输入电压范围支持12V或5V系统总线供电,兼容多种工业电源标准。在网络通信设备中,如路由器、交换机和光模块,MF-MSMD110可用于为FPGA、ASIC、微处理器和存储器提供核心电压,确保高速数字电路的稳定运行。
  此外,该器件也适用于汽车电子中的非安全关键系统,例如车载信息娱乐系统、仪表盘显示模块和ADAS辅助传感器供电。其-40°C至+125°C的工作温度范围能够满足车规级应用的基本要求。在医疗设备、智能家居网关和无人机电源系统中,MF-MSMD110同样表现出色,凭借高可靠性和良好的EMI性能,支持复杂系统的稳定运行。总体而言,任何需要从较高电压源生成稳定低电压轨的场合,均可考虑采用MF-MSMD110作为核心电源管理IC。

替代型号

MP2315
  MP2321
  RT6206
  SGM6009

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