型号：MET140D
　　封装类型：TO-220
　　最大漏极电流：140A
　　最大漏源电压：100V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤5.5mΩ（典型值）
　　栅极电压范围：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　功耗：200W（最大）
　　封装尺寸：符合TO-220标准
　　安装类型：通孔（Through Hole）

MET140D是一款N沟道增强型功率MOSFET，专为高电流和高效率的应用而设计。该器件采用了先进的沟槽栅极技术和低电阻硅片设计，显著降低了导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。此外，MET140D具备优异的热稳定性和过载保护能力，能够在高电流和高温条件下长时间运行，确保系统的稳定性和可靠性。
　　MET140D的封装形式为TO-220，这种封装不仅具有良好的散热性能，还便于在PCB上安装和焊接，适用于各种电源转换和电机控制应用。该芯片的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V和12V驱动电路，同时也能够承受高达20V的瞬时电压，避免因过压而损坏器件。
　　在性能方面，MET140D的导通电阻非常低，典型值为5.5mΩ，这使得在大电流工作时的功率损耗大大降低，从而提高了整体系统的效率。该芯片的最大漏极电流为140A，最大漏源电压为100V，能够满足大多数中高功率应用的需求。同时，其工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适用于各种复杂环境下的应用，例如工业自动化、电源模块、电动车控制器以及太阳能逆变器等。
　　由于其出色的电气特性和热性能，MET140D在市场中得到了广泛的认可。它不仅具备高效率和高可靠性的特点，还具有良好的抗干扰能力和抗静电能力，能够有效防止外部环境对芯片性能的影响。

MET140D主要用于需要高电流承载能力和高效率的功率电子设备中。典型应用包括直流电机控制器、电源转换器（如DC-DC转换器和AC-DC电源）、电动车和电动工具的驱动电路、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的电源管理模块。此外，它也可用于高功率LED照明系统、电池管理系统（BMS）以及各类功率开关电路中。由于其优异的电气特性和宽泛的工作温度范围，MET140D非常适合用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。

IRF1405, FDP140N10, STP140N10F7