型号：MERA-7433+
　　工作频率范围：26 GHz 至 33 GHz
　　增益：≥ 22 dB
　　噪声系数：≤ 1.8 dB
　　输入三阶交调截点（IIP3）：+15 dBm
　　输出三阶交调截点（OIP3）：+37 dBm
　　工作电压范围：3.0 V 至 5.0 V
　　静态电流：85 mA（典型值）
　　输入回波损耗：≤ -12 dB
　　输出回波损耗：≤ -15 dB
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：6 引脚陶瓷 SMD 封装
　　尺寸：2.0 mm × 2.0 mm × 0.9 mm

MERA-7433+ 作为一款高性能毫米波低噪声放大器，其最显著的特性之一是其在整个 26 GHz 至 33 GHz 频段内保持高度稳定的增益响应和平坦的频率特性。这一特性使得它非常适合用于 5G NR n257、n258 和 n261 等毫米波频段的应用场景。在增益方面，该器件在典型工作条件下可提供超过 22 dB 的小信号增益，且增益平坦度控制在 ±0.8 dB 以内，这极大地提升了接收链路的整体信噪比和灵敏度。
　　其噪声系数在全频段内低于 1.8 dB，接近量子极限水平，确保了在微弱信号接收环境下仍能保持极高的信道保真度，特别适用于远距离通信和高数据速率传输系统。此外，MERA-7433+ 具备出色的线性性能，其输入三阶交调截点（IIP3）高达 +15 dBm，输出三阶交调截点（OIP3）可达 +37 dBm，这意味着在存在强干扰信号或多载波环境中，该器件能够有效抑制非线性失真，防止互调产物对接收信号造成干扰。
　　该芯片采用 GaAs pHEMT 工艺，不仅提供了高频工作的能力，还具备较低的功耗和较高的击穿电压，增强了其在瞬态电压波动或静电放电（ESD）事件中的鲁棒性。内部集成的偏置电路支持通过单端电源供电，并可通过外部电阻精确调节偏置电流，实现性能与功耗之间的灵活平衡。封装方面，陶瓷 SMD 封装不仅保证了良好的射频隔离和散热性能，还支持自动化贴片生产，提升了量产效率和一致性。

MERA-7433+ 主要应用于需要高频率、低噪声和高线性度的射频接收前端模块。其典型应用场景包括第五代移动通信（5G）毫米波基站的射频收发单元，尤其是在大规模 MIMO 天线阵列中作为低噪声放大器使用，以提升上行链路的接收灵敏度。此外，该器件也广泛用于点对点微波回传系统，在长距离、高容量的数据传输链路中增强接收端的信号质量。
　　在宽带无线接入系统（如 WiGig 和 802.11ad/ay）中，MERA-7433+ 可作为前端 LNA 提供稳定的增益和极低的噪声性能，保障多吉比特每秒的数据吞吐能力。该芯片同样适用于汽车雷达系统，特别是在 28 GHz 频段附近的高分辨率成像雷达中，其高增益和低噪声特性有助于提升目标检测精度和探测距离。
　　此外，MERA-7433+ 还可用于卫星通信终端、军用通信设备以及测试测量仪器中的射频前端设计。由于其小型化封装和优异的温度稳定性，该器件也适合部署在空间受限或环境条件严苛的户外设备中。在相控阵雷达系统中，多个 MERA-7433+ 可集成于每个天线单元的接收通道中，构成高性能、低噪声的分布式放大网络，从而实现精确的波束成形和空间分辨能力。