ME80N75T 时间：2025/5/20 19:12:05 阅读：2

ME80N75T是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率切换的场合。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
　　ME80N75T的设计旨在满足高效率、高可靠性需求的应用场景，其耐压能力为75V，适合中低压环境下的功率管理应用。

参数

最大漏源电压：75V
　　连续漏极电流：80A
　　导通电阻：1.5mΩ
　　栅极电荷：65nC
　　开关时间：开启时间25ns，关闭时间35ns
　　工作结温范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-247

特性

ME80N75T具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)）使其非常适合于高电流应用，减少功率损耗。
　　2. 高额定电流（80A）和耐压能力（75V），适用于多种工业及汽车电子场景。
　　3. 快速开关特性，支持高频操作，有助于设计更紧凑的电路。
　　4. 优化的栅极电荷，降低了驱动功耗。
　　5. 工作温度范围宽广，适应恶劣的工作环境。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
　　7. 稳定性和可靠性经过严格测试，确保长期使用。

应用

ME80N75T主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主功率开关或同步整流元件。
　　2. DC-DC转换器，用于电动汽车、混合动力汽车等新能源车辆的电池管理系统。
　　3. 电机驱动，特别是在大功率直流电机控制中作为功率级开关。
　　4. 逆变器和不间断电源（UPS）系统。
　　5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
　　6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。