20KP180A是一种高压、高频功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动以及其他需要高效能开关的电子设备中。该器件采用N沟道增强型技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够在高频应用中提供高效率和稳定性。
该型号属于功率半导体器件系列,适用于工业和消费类电子产品中的电力转换和调节系统。其封装形式通常为TO-247或TO-220,便于散热和安装。
最大漏源电压:1800V
连续漏极电流:20A
栅源电压:±20V
导通电阻:0.3Ω
总功耗:300W
工作温度范围:-55℃至+150℃
20KP180A具备高耐压能力,适合在高压环境中使用,能够承受高达1800V的漏源电压,确保了其在恶劣条件下的可靠性。
该器件的导通电阻较低,有助于减少传导损耗,提高整体系统的效率。
它还拥有快速开关速度,能够有效降低开关损耗,特别适合高频应用场景。
此外,其坚固的设计和宽泛的工作温度范围,使其能够适应各种严苛的工作环境。
20KP180A主要应用于高压开关电源、DC-DC转换器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机控制器以及其他需要高效能功率开关的应用领域。
在工业自动化中,该器件可用于控制伺服电机和其他大功率负载。
同时,它也适用于家用电器中的电子镇流器和电磁炉等设备。
20KP180B, IRFP260N, STP20NM60