时间：2025/6/27 12:32:00
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ME75N03L-G 是一款 N 治道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他功率管理场景。该器件具有低导通电阻和高开关速度，适合要求高效能和低损耗的电路设计。
该型号属于 MOSFET 类功率半导体元件，采用 TO-263-3 封装形式，使其具备良好的散热性能和较高的电流承载能力。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：75A
导通电阻：3.8mΩ
栅极电荷：11nC
开关时间：ton=9ns, toff=15ns
封装形式：TO-263-3
ME75N03L-G 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型工作条件下仅为 3.8mΩ，从而显著降低传导损耗。
2. 快速开关性能，能够支持高频应用，其极小的栅极电荷量进一步提升了效率。
3. 高额定电流能力，支持高达 75A 的连续漏极电流，适用于大功率电路。
4. 优化的热性能，得益于 TO-263-3 封装，可有效提高散热效果。
5. 符合 RoHS 标准，确保环保与安全使用。
该元器件的主要应用场景如下：
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动中的功率级控制。
3. 各类 DC-DC 转换器模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 大功率 LED 照明驱动电路。
6. 电池管理系统 (BMS) 中的保护及充放电控制电路。
ME75N03L-E, IRFZ44N, FDP177N03L
