STB4N62K3 时间：2025/7/22 21:03:07 阅读：7

STB4N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等高功率场合。该器件采用先进的STripFET?技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特点，适用于多种电源应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　最大漏源电压（VDS）：620V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.8Ω（VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

STB4N62K3功率MOSFET采用了STMicroelectronics的高性能STripFET?技术，具有较低的导通电阻和较高的开关效率。该器件的漏源电压额定值为620V，适用于高电压应用环境，如工业电源、照明系统和家用电器等。其最大漏极电流为4A，能够承受较高的功率负载。此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，确保在极端工作条件下的可靠性。
　　STB4N62K3的栅源电压范围为±20V，提供了更高的驱动灵活性，同时具有良好的热稳定性。其TO-220封装设计有助于提高散热性能，适用于需要高可靠性和高稳定性的应用场合。该器件还具备较低的开关损耗，有助于提高系统整体能效。
　　在实际应用中，STB4N62K3可以作为开关元件用于DC-DC转换器、电源适配器、不间断电源（UPS）和电机控制电路中。其高耐压能力和稳定的电气性能使其成为工业自动化、电力电子和消费类电子产品的理想选择。

应用

STB4N62K3适用于多种高功率电子设备和系统，包括电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、照明驱动器、电机控制电路和工业自动化设备。此外，它还可用于不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）和家用电器等需要高耐压和高效能的场合。由于其良好的热管理和电气性能，该MOSFET在需要高可靠性和稳定性的应用中表现出色。