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STB4N62K3 发布时间 时间:2025/7/22 21:03:07 查看 阅读:7

STB4N62K3是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等高功率场合。该器件采用先进的STripFET?技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高效率的特点,适用于多种电源应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):4A
  最大漏源电压(VDS):620V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为1.8Ω(VGS=10V)
  功率耗散(PD):30W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220

特性

STB4N62K3功率MOSFET采用了STMicroelectronics的高性能STripFET?技术,具有较低的导通电阻和较高的开关效率。该器件的漏源电压额定值为620V,适用于高电压应用环境,如工业电源、照明系统和家用电器等。其最大漏极电流为4A,能够承受较高的功率负载。此外,该MOSFET具备较强的抗雪崩能力,确保在极端工作条件下的可靠性。
  STB4N62K3的栅源电压范围为±20V,提供了更高的驱动灵活性,同时具有良好的热稳定性。其TO-220封装设计有助于提高散热性能,适用于需要高可靠性和高稳定性的应用场合。该器件还具备较低的开关损耗,有助于提高系统整体能效。
  在实际应用中,STB4N62K3可以作为开关元件用于DC-DC转换器、电源适配器、不间断电源(UPS)和电机控制电路中。其高耐压能力和稳定的电气性能使其成为工业自动化、电力电子和消费类电子产品的理想选择。

应用

STB4N62K3适用于多种高功率电子设备和系统,包括电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、照明驱动器、电机控制电路和工业自动化设备。此外,它还可用于不间断电源(UPS)、开关电源(SMPS)和家用电器等需要高耐压和高效能的场合。由于其良好的热管理和电气性能,该MOSFET在需要高可靠性和稳定性的应用中表现出色。

替代型号

STP4NK62Z, FDPF4N620, IRF740

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STB4N62K3参数

  • 其它有关文件STB4N62K3 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH3™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)620V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.95 欧姆 @ 1.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds450pF @ 50V
  • 功率 - 最大70W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-10645-6