ME70N03AS 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,由 Micro Commercial Components 生产。该器件采用 TO-252 封装,适用于多种开关和功率转换应用。它具有低导通电阻、高开关电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
该器件的工作电压范围较广,最大漏源极电压为 30V,能够满足大多数低压系统的应用需求。
最大漏源极电压:30V
最大栅源极电压:±20V
连续漏极电流:41A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷:19nC
总电容(输入电容):1380pF
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-252
ME70N03AS 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力,最大支持 41A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度,使得其适合高频开关应用。
4. 宽工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),确保在极端环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接。
6. 紧凑的 TO-252 封装设计,节省 PCB 空间。
这些特性使得 ME70N03AS 成为高效能功率转换和开关应用的理想选择。
ME70N03AS 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池管理和保护电路中的负载开关。
3. 工业设备和消费电子中的电机驱动。
4. 电信系统中的电源模块。
5. 固态继电器和逆变器。
6. 各种需要高性能功率开关的应用场景。
其低导通电阻和高电流能力使其特别适合需要高效能量传输和低损耗的场合。
ME70N03S, IRF7404, FDP55N06L