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ME6401C18&28M6G-T 发布时间 时间:2025/7/1 16:27:02 查看 阅读:9

ME6401C18&28M6G-T 是一款高性能、低功耗的嵌入式存储芯片,主要应用于需要高可靠性和快速数据访问的设备中。该芯片集成了大容量闪存和优化的控制器技术,支持多种接口标准,适合工业级和消费级应用场景。

参数

容量:28M×6Gb(约2GB)
  工作电压:1.8V/3.3V
  接口类型:SPI/NAND Flash
  封装形式:BGA-18
  数据传输速率:高达150MB/s
  工作温度范围:-40℃至+85℃
  擦写寿命:3000次以上
  数据保存时间:10年
  待机电流:典型值10uA

特性

ME6401C18&28M6G-T 提供了大容量的非易失性存储解决方案,并通过内置的错误校正码(ECC)引擎增强了数据可靠性。
  该芯片支持多级单元(MLC)技术,从而在有限的空间内实现了更高的存储密度。
  同时,它具备较低的工作电压和待机电流,非常适合对功耗敏感的应用场景。
  其宽泛的工作温度范围确保了芯片能够在极端环境下稳定运行,适用于工业自动化、汽车电子以及智能家居等领域。
  此外,芯片内部还集成了先进的电源管理功能,能够进一步降低系统功耗。

应用

该芯片广泛应用于各种需要大容量存储的场合,包括但不限于以下领域:
  1. 工业控制设备中的程序存储与数据记录。
  2. 智能家居系统的固件升级及用户配置信息保存。
  3. 医疗设备的数据日志存储。
  4. 汽车电子模块中的导航地图和软件更新。
  5. 嵌入式系统的核心存储组件。

替代型号

MX25L25635F, W25Q256JV, GD25Q64C

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