时间：2025/6/17 13:02:09
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ME6330C30N4AG是东芝（Toshiba）公司生产的一款增强型N沟道MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域。
ME6330C30N4AG在电路设计中能够提供高效的电流控制能力，并且由于其较低的栅极电荷，非常适合高频开关应用。
型号：ME6330C30N4AG
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：4mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：92A
Ptot（总功耗）：180W
Vgs（栅源电压）：±20V
Qg（栅极电荷）：75nC
f（工作频率范围）：最高可达500kHz
封装形式：TO-263-3
ME6330C30N4AG具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗，提升效率。
2. 高额定电流，适合大功率应用环境。
3. 低栅极电荷，确保快速开关，适用于高频操作。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 提供卓越的电气性能，同时具备较高的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
7. 可靠性高，适合工业级和消费级应用。
ME6330C30N4AG的应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
2. 电机驱动器中的高效电流控制。
3. 各类负载开关和保护电路。
4. 大功率LED驱动电路。
5. 工业自动化设备中的电源管理和信号切换。
6. 汽车电子系统中的负载控制与电源分配。
7. 其他需要高性能功率开关的场景。
ME6330C30N4A, IRF3710, FDP5500
