ME6214C15M5G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管,属于 Microchip 的 GaN FET 系列。该器件采用常闭式设计(增强型),适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用领域。其封装形式为行业标准的表面贴装类型,能够有效降低寄生电感并提高整体系统性能。
ME6214C15M5G 提供了卓越的开关特性和低导通电阻,从而减少能量损耗并提升转换效率。此外,该芯片还具有较高的工作频率能力以及内置的保护机制,包括过流保护和热关断功能。
型号:ME6214C15M5G
类型:增强型 GaN 功率晶体管
最大漏源电压(Vds):600V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):150mΩ
连续漏极电流(Id):4A
输出电容(Coss):38pF
输入电容(Ciss):950pF
反向传输电容(Crss):7.8pF
典型栅极电荷(Qg):45nC
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-252 (DPAK)
1. 增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN?),具备更高效率与更低损耗。
2. 支持高达 600V 的漏源击穿电压,适合高压应用场景。
3. 极低的导通电阻(150mΩ),显著减少传导损耗。
4. 内置快速过流保护功能,可防止意外短路损坏。
5. 高速开关性能,支持 MHz 级别的开关频率,优化小型化设计。
6. 工作结温范围广,适应恶劣环境下的长时间稳定运行。
7. 表面贴装封装设计,便于自动化生产和散热管理。
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
2. 高效 DC-DC 转换器,如电动汽车中的电池管理系统。
3. 太阳能逆变器和能量存储系统的功率转换模块。
4. 快速充电设备及便携式电子产品的电源管理。
5. 工业级电机驱动控制电路。
6. LED 照明驱动器和其他高频功率变换装置。
ME6214C15M3G, ME6214C15M6G