时间：2025/6/17 9:54:40
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ME6211C50M5G 是一款基于硅技术的高频、高性能 N 沤道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，适用于多种高效率电源管理应用。其出色的电气性能使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
型号：ME6211C50M5G
类型：N 沝道 MOSFET
Vds（漏源电压）：50V
Rds(on)（导通电阻）：5mΩ
Id（连续漏极电流）：70A
Qg（栅极电荷）：43nC
EAS（雪崩能量）：1.8J
f（工作频率）：高达 1MHz
封装形式：TO-247
ME6211C50M5G 具有以下主要特性：
1. 极低的 Rds(on)，可以有效减少导通损耗。
2. 快速的开关速度，适合高频开关应用。
3. 高电流承载能力，能够满足大功率应用需求。
4. 优秀的热性能表现，有助于提升系统可靠性。
5. 内置 ESD 保护功能，提高抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
ME6211C50M5G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
2. 电机驱动电路，用于控制电机的速度和方向。
3. 工业逆变器和 UPS 系统中的功率级元件。
4. 太阳能微逆变器和储能系统中的功率管理组件。
5. 各种需要高效能功率转换的汽车电子设备。
6. LED 驱动器和其他照明应用中的负载开关。
IRF540N, FDP55N50, AON6211
