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ME6201A30PG 发布时间 时间:2025/6/4 8:49:16 查看 阅读:6

ME6201A30PG 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率转换芯片,专为高频开关电源、快充适配器以及其他高效率电力电子应用设计。该器件集成了增强型 GaN 场效应晶体管和驱动电路,能够显著提升功率密度并降低系统损耗。
  相比传统硅基 MOSFET,ME6201A30PG 提供更快的开关速度、更低的导通电阻以及更小的封装尺寸,非常适合对体积和效率要求较高的场景。

参数

类型:GaN 功率开关
  耐压:650V
  导通电阻:140mΩ
  栅极电荷:28nC
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  封装形式:PDFN5*6

特性

ME6201A30PG 的主要特点包括:
  1. 高效的功率转换性能,支持高达 MHz 级别的开关频率。
  2. 内置保护功能,如过流保护、短路保护及过温关断,提升了系统的可靠性。
  3. 超低的输出电容与反向恢复电荷,进一步减少开关损耗。
  4. 支持多种拓扑结构,例如 Buck、Boost 和 Flyback,适应广泛的应用需求。
  5. 小型化的封装设计有助于减小 PCB 占用面积,并提高整体功率密度。

应用

ME6201A30PG 主要应用于以下领域:
  1. USB PD 快充适配器。
  2. 消费类电子产品中的高效 AC-DC 电源模块。
  3. 工业设备的小型化 DC-DC 转换器。
  4. LED 驱动电源。
  5. 其他需要高频率、高效率功率管理解决方案的场景。

替代型号

ME6201A30TG, ME6202A30PG

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