时间：2025/6/16 22:29:31
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ME6118A50K3G是一款高性能、低功耗的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于广泛的开关和功率管理应用。该器件采用了先进的制造工艺，具备出色的导通电阻特性，同时能够承受较高的电压，确保在高效率和高可靠性的电路中表现优异。
这款MOSFET特别适合用作负载开关、同步整流器以及DC-DC转换器中的关键元件。其封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的散热性能和易于焊接的特点。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：11nC
工作结温范围：-55℃ to 150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
ME6118A50K3G拥有较低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率。此外，其栅极电荷较小，可以降低驱动损耗，从而实现更快的开关速度。
该器件还具有优异的雪崩能力和热稳定性，能够在严苛的工作条件下保持可靠运行。由于其小尺寸和高效的散热设计，ME6118A50K3G非常适合空间受限的应用场景。
该MOSFET广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。典型应用场景包括：
- 笔记本电脑和移动设备的电源管理
- DC-DC转换器和降压/升压电路
- 开关模式电源（SMPS）中的初级或次级侧开关
- LED驱动器中的电流调节
- 各种负载开关和保护电路
ME6118A50K3T, IRF540N, FQP17N10
