时间：2025/4/28 18:40:26
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BFP760H6327 是一款高性能的硅锗 (SiGe) 双极型晶体管，专为高频和高增益应用设计。该器件具有极低的噪声系数和出色的线性度，使其非常适合射频 (RF) 放大器、混频器和其他无线通信系统的前端电路。BFP760H6327 的制造工艺基于先进的 SiGe 技术，能够提供更高的截止频率 (ft) 和最大振荡频率 (fmax)，同时保持良好的稳定性和可靠性。
BFP760 系列晶体管在无线通信、卫星接收、测试设备等领域有广泛的应用，其封装形式和电气特性经过优化，适用于表面贴装技术 (SMT) 和自动化生产流程。
集电极-基极击穿电压：18V
集电极-发射极击穿电压：45V
基极-发射极击穿电压：6V
直流电流增益 (hFE)：250
最大集电极电流：400mA
截止频率 (ft)：12GHz
最大振荡频率 (fmax)：22GHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-323
BFP760H6327 的主要特性包括：
1. 高截止频率和最大振荡频率，分别达到 12GHz 和 22GHz，支持高频应用。
2. 极低的噪声系数，适合低噪声放大器 (LNA) 的设计。
3. 高增益性能，在高频条件下仍然保持良好的信号放大能力。
4. 稳定的工作特性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 小型化封装 SOT-323，便于表面贴装和高密度集成。
6. 适用于无线通信、卫星接收、测试测量等领域的高频电路设计。
BFP760H6327 主要应用于以下领域：
1. 射频 (RF) 放大器设计，尤其是低噪声放大器 (LNA)。
2. 混频器和调制解调器中的信号处理模块。
3. 卫星接收系统中的前端电路。
4. 测试和测量设备中的高频信号生成与检测。
5. 无线通信系统中的功率放大器和驱动放大器。
6. 微波通信链路中的信号增强组件。
BFP760N6327, BFP760H
