时间：2025/12/26 20:21:21
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ME60N03G是一款由Metal Semiconductor Corporation（美萨半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极工艺技术制造，专为高效率、高频率的开关应用设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及优良的热稳定性，适用于多种电源管理场景。ME60N03G的额定电压为60V，连续漏极电流可达50A，适合在要求紧凑设计和高效能转换的电路中使用。其封装形式通常为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，能够在较宽的温度范围内稳定工作，广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动、电池管理系统以及各类消费类电子产品中。该器件符合RoHS环保标准，并具备较高的抗雪崩能力和可靠性，适合在工业级环境中长期运行。
型号：ME60N03G
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：50A
脉冲漏极电流（IDM）：200A
最大功耗（PD）：125W
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：≤3.3mΩ
导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：≤4.8mΩ
阈值电压（Vth）：1.0V~2.5V
输入电容（Ciss）：典型值3000pF
输出电容（Coss）：典型值900pF
反向恢复时间（trr）：典型值25ns
工作结温范围（Tj）：-55°C~+150°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
