您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ME50N10

ME50N10 发布时间 时间:2025/6/4 18:12:41 查看 阅读:5

ME50N10是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等应用中。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效功率管理的理想选择。该型号由东芝(Toshiba)生产,适用于多种工业和消费类电子产品。

参数

最大漏源电压:50V
  最大连续漏极电流:10A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(典型值):8.5mΩ
  总功耗:10W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

ME50N10具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 高电流处理能力,支持高达10A的连续漏极电流。
  3. 快速开关速度,适合高频应用。
  4. 优异的热稳定性,能够在宽温度范围内可靠运行。
  5. 小型封装设计,便于在紧凑空间内进行布局。
  6. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子产品的使用需求。

应用

该MOSFET适用于以下领域:
  1. 开关电源中的主开关元件。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压控制。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 负载开关以实现快速通断功能。
  5. 电池管理系统中的充放电保护电路。
  6. 各种工业自动化设备中的功率切换与控制模块。

替代型号

ME50N02,
  IRF540N,
  FDP55N10,
  AO3400

ME50N10推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价