ME50N10是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等应用中。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效功率管理的理想选择。该型号由东芝(Toshiba)生产,适用于多种工业和消费类电子产品。
最大漏源电压:50V
最大连续漏极电流:10A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(典型值):8.5mΩ
总功耗:10W
工作温度范围:-55℃至+150℃
ME50N10具备以下特点:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力,支持高达10A的连续漏极电流。
3. 快速开关速度,适合高频应用。
4. 优异的热稳定性,能够在宽温度范围内可靠运行。
5. 小型封装设计,便于在紧凑空间内进行布局。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子产品的使用需求。
该MOSFET适用于以下领域:
1. 开关电源中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压控制。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载开关以实现快速通断功能。
5. 电池管理系统中的充放电保护电路。
6. 各种工业自动化设备中的功率切换与控制模块。
ME50N02,
IRF540N,
FDP55N10,
AO3400