ME45N03T-G 时间：2025/6/29 13:51:51 阅读：8

ME45N03T-G 是一款 N 治金氧化物半导体场效应晶体管（N-MOSFET），主要用于功率转换、开关电源、逆变器和电机驱动等应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，适合于需要高效率和高可靠性的电子电路设计。
　　这款 MOSFET 采用 TO-263 封装（DPAK），便于散热并提供良好的电气连接性能。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：45A
　　导通电阻：1.8mΩ
　　栅极电荷：47nC
　　输入电容：1920pF
　　总开关能量：115μJ
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

ME45N03T-G 的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
　　3. 高电流承载能力，支持高达 45A 的连续漏极电流。
　　4. 紧凑的 TO-263 封装形式，具备优秀的散热性能。
　　5. 宽泛的工作温度范围，适应恶劣环境下的使用需求。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。

应用

ME45N03T-G 广泛应用于各种功率电子领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流或主开关。
　　2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级元件。
　　4. 太阳能逆变器和 UPS 系统中的功率控制模块。
　　5. 工业自动化设备中的负载切换与保护电路。
　　6. 电动车和电池管理系统中的功率管理部分。