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ME4457 发布时间 时间:2025/12/24 17:53:30 查看 阅读:14

ME4457是一款由Mitsubishi Electric(三菱电机)制造的射频功率晶体管,属于MOSFET类型,广泛应用于射频放大器、通信设备、无线基础设施等领域。该器件设计用于在高频环境下提供高功率输出和优异的线性性能,适合用于基站、广播设备和其他高性能射频系统。

参数

类型:射频MOSFET
  最大漏极电流(ID(max)):15A
  最大漏-源电压(VDS(max)):60V
  最大工作频率:500MHz
  输出功率:约125W
  增益:约18dB
  封装类型:TO-247

特性

ME4457射频MOSFET具备多项优异的电气和物理特性,使其在高功率射频应用中表现出色。首先,其高漏-源击穿电压(60V)允许在较高电压条件下运行,增强了器件的稳定性和可靠性。其次,该晶体管在500MHz频率范围内提供高达125W的输出功率,适用于需要高功率放大的通信系统。此外,其18dB左右的高增益特性有助于减少外部放大级的数量,从而简化系统设计并降低成本。该器件的TO-247封装形式具备良好的散热性能,能够在高功率工作条件下维持较低的结温,延长使用寿命。ME4457还具备良好的热稳定性和抗过载能力,适用于连续高功率操作环境。

应用

ME4457广泛应用于多种射频和通信设备中,如蜂窝基站、无线基础设施、广播发射机、测试设备和工业射频加热系统。在蜂窝基站中,它被用作高效的功率放大器,确保信号在长距离传输中保持高质量。在广播发射机中,ME4457可用于放大音频或视频信号,以实现更广泛的覆盖范围。此外,它也常用于射频测试设备,为各种无线通信标准提供可靠的功率输出。在工业领域,该晶体管还可用于射频加热和等离子体生成设备,满足高功率密度需求。

替代型号

RD12HVF1, MRF151G

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