IXKH24N60C5 时间：2025/8/6 10:17:26 阅读：28

IXKH24N60C5是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高电压和高电流的应用。该器件具有600V的漏源击穿电压（Vds）和24A的连续漏极电流（Id），适用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统。IXKH24N60C5采用了先进的平面技术，具备低导通电阻和快速开关特性，适合用于电源转换、电机控制、工业自动化等场景。

参数

漏源击穿电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：24A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：0.27Ω
　　漏极电容（Coss）：120pF
　　封装形式：TO-247

特性

IXKH24N60C5的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具有快速开关特性，能够实现较高的开关频率，从而减少外部电路中的滤波器和电感元件的尺寸。其先进的平面技术提供了优异的热稳定性和长期可靠性，适用于苛刻的工作环境。另外，该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行。
　　该器件的封装形式为TO-247，这种封装不仅提供了良好的散热性能，还能确保与印刷电路板（PCB）的良好连接。TO-247封装的机械强度高，适用于高功率密度的设计。IXKH24N60C5的栅极驱动要求较低，能够在较宽的栅源电压范围内正常工作，这使其与多种驱动电路兼容性良好。

应用

IXKH24N60C5广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、工业自动化控制系统和不间断电源（UPS）。在开关电源中，该MOSFET可以用于主开关拓扑结构，如半桥或全桥电路，以实现高效的DC-DC或AC-DC转换。在电机驱动器中，它可用于控制电机的启停和速度调节，提供稳定的电流输出。此外，IXKH24N60C5也适用于需要高可靠性和高效率的光伏逆变器和储能系统。由于其良好的抗雪崩能力和热稳定性，该器件还常用于需要长时间连续运行的工业控制系统中。