时间：2025/9/2 6:22:01
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HY27UCG8UDAYR-BC 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的NAND闪存芯片，属于消费级和工业级应用中广泛使用的非易失性存储器器件。该芯片设计用于提供大容量数据存储，适用于如固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器、存储卡和其他嵌入式系统设备。这款芯片具有较高的存储密度和良好的耐用性，采用标准的NAND闪存接口，便于集成到各种需要非易失性存储的系统中。
容量：8GB
工艺制程：2Ynm（约20-24nm）
接口类型：ONFI 2.3
电压范围：1.8V - 3.3V
读取速度：最高可达50MB/s
写入速度：最高可达20MB/s
擦除速度：块擦除时间约1.5ms
擦写寿命：约3000次擦写周期
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
HY27UCG8UDAYR-BC NAND闪存芯片具有多项关键特性，使其在多种存储应用中表现出色。首先，它提供了8GB的大容量存储空间，适用于需要高密度数据存储的应用场景。该芯片基于2Ynm制程工艺制造，具有较高的集成度和较低的功耗，同时保持了良好的性能表现。其ONFI 2.3接口标准确保了与主流控制器的兼容性，简化了系统设计和开发流程。
该芯片支持1.8V至3.3V的宽电压范围，适应不同的电源供应环境，提高了其在不同系统中的适用性。在数据传输方面，HY27UCG8UDAYR-BC具备高达50MB/s的读取速度和20MB/s的写入速度，能够满足大多数中高端存储应用的需求。此外，其块擦除时间仅为1.5ms，显著提高了擦除操作的效率。
HY27UCG8UDAYR-BC NAND闪存芯片广泛应用于多种嵌入式系统和存储设备中。它常用于固态硬盘（SSD）中的数据存储模块，提供高速和可靠的非易失性存储解决方案。此外，该芯片也适合用于USB闪存盘和SD卡等便携式存储设备，满足消费者对大容量和高性能存储的需求。
在工业自动化和嵌入式系统中，HY27UCG8UDAYR-BC可用于数据记录、固件存储和系统启动介质。其宽温度范围和高可靠性使其适用于工业环境中的各种应用场景。该芯片还可用于网络设备、监控系统、医疗设备和汽车电子系统中的数据存储和管理模块，提供稳定和高效的存储支持。
由于其ONFI接口的兼容性，HY27UCG8UDAYR-BC也常用于需要定制化存储解决方案的设计中，便于工程师根据具体需求进行系统集成和优化。
K9F8G08U0D-PIB0, TC58NVG2S0HRAIG, MT29F8G08ABADAH4-IT
