ME35N10 时间：2025/6/12 16:05:56 阅读：6

ME35N10是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它被广泛应用于各种功率转换和开关电路中，例如电源管理、电机驱动和负载切换等场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，使其成为许多应用中的理想选择。

参数

型号：ME35N10
　　类型：N-Channel MOSFET
　　Vds（漏源极电压）：30V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：8.5mΩ
　　Id（连续漏极电流）：47A
　　Vgs(th)（栅极开启电压）：2.1V
　　输入电容Ciss：1960pF
　　总功耗：130W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-247

特性

ME35N10具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高效率。
　　2. 高电流处理能力（高达47A的连续漏极电流），适用于大功率应用。
　　3. 宽工作温度范围（-55℃至175℃），能够在极端环境下可靠运行。
　　4. 快速开关特性，适合高频开关应用。
　　5. 小巧的封装尺寸，便于集成到紧凑型设计中。
　　6. 热性能优异，能够有效散热，延长使用寿命。

应用

ME35N10适用于多种应用场景，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. DC/DC转换器中的同步整流器。
　　3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
　　4. 工业设备中的负载切换。
　　5. 新能源领域，如太阳能逆变器中的功率转换模块。
　　6. 汽车电子系统中的电源管理和负载控制。