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IRLU8726PBF 发布时间 时间:2025/7/3 8:49:04 查看 阅读:14

IRLU8726PBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。这款功率MOSFET适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景,其设计结合了高电流处理能力和快速开关特性。
  该器件采用TO-252 (DPAK) 封装形式,具有出色的热性能和电气性能,适合表面贴装工艺,广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:32A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极阈值电压:2V~4V
  最大功耗:39W
  工作温度范围:-55℃~175℃

特性

IRLU8726PBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型工作条件下仅为4.5mΩ,从而减少了传导损耗并提高了效率。
  2. 高速开关能力,具备较低的输入电容和输出电荷,使得开关速度更快,同时减少开关损耗。
  3. 宽泛的工作温度范围,能够适应极端环境下的应用需求。
  4. 符合RoHS标准,环保无铅封装,满足现代电子产品对绿色制造的要求。
  5. 逻辑电平驱动兼容性,允许使用较低的栅极驱动电压进行操作,简化了电路设计。

应用

IRLU8726PBF 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 电机驱动器和逆变器模块,特别适合于中小型直流电机控制。
  3. 负载切换和电池管理系统的功率开关。
  4. LED照明驱动电路中作为高效的开关元件。
  5. 各种工业和消费类电子设备中的功率转换与调节组件。

替代型号

IRLZ44N, IRLB8721PBF

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IRLU8726PBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C86A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.8 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2150pF @ 15V
  • 功率 - 最大75W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件