ME35N10-G 时间：2025/7/10 12:23:51 阅读：3

ME35N10-G 是一款增强型 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他功率转换系统中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特性，适合于高频开关应用。
　　ME35N10-G 的封装形式为 TO-220，能够提供出色的散热性能，确保在较高电流条件下稳定运行。其额定电压为 100V，可满足大多数工业及消费类电子产品的设计需求。

参数

最大漏源电压：100V
　　最大漏极电流：35A
　　导通电阻：7.5mΩ
　　栅极电荷：8nC
　　总功耗：150W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

ME35N10-G 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提升整体系统效率。
　　2. 快速开关速度，降低开关损耗，适合高频应用。
　　3. 较小的栅极电荷 (Qg)，简化了驱动电路设计，并进一步提高了开关效率。
　　4. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性，使其能够在异常条件下可靠运行。
　　5. 支持表面贴装与插件式封装，便于灵活选择以适应不同应用场景的需求。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代绿色设计要求。

应用

ME35N10-G 可用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
　　2. 电机驱动电路中的功率级开关，例如步进电机或无刷直流电机控制。
　　3. 太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 系统中的功率转换模块。
　　4. LED 驱动器和负载开关等需要高效功率管理的应用。
　　5. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和切换功能实现。
　　由于其优秀的电气性能和可靠性，ME35N10-G 成为了许多高性能功率电子设备的理想选择。