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ME2N7002DKW-G 发布时间 时间:2025/8/14 2:30:05 查看 阅读:48

ME2N7002DKW-G是一款由Magnetics Engineering制造的双N沟道MOSFET晶体管。该器件采用SOT-363封装,适用于需要低导通电阻和高速开关性能的电源管理应用。ME2N7002DKW-G在设计上具有优异的热稳定性和可靠性,适合用于便携式电子设备、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等应用场景。

参数

类型:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
  配置:双N沟道
  漏极-源极电压(Vds):20V
  栅极-源极电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):100mA(每个通道)
  导通电阻(Rds(on)):5Ω(最大值,Vgs=10V)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装:SOT-363(SC-70)
  安装类型:表面贴装

特性

ME2N7002DKW-G具备多个关键特性,使其适用于现代电子设计中的多种应用。首先,其双N沟道MOSFET结构允许在一个封装中集成两个独立的晶体管,有助于节省PCB空间并提高系统集成度。其次,该器件的低导通电阻(Rds(on))确保了在导通状态下的高效能,减少了功率损耗,提高了整体系统的能效。此外,ME2N7002DKW-G具有良好的热稳定性和过温保护能力,能够在高温环境下保持稳定工作,提高了系统的可靠性和寿命。该器件的高速开关性能也使其适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和负载开关。最后,其SOT-363封装结构具备良好的焊接稳定性和机械强度,适合自动化生产流程,降低了制造成本。

应用

ME2N7002DKW-G广泛应用于需要低功耗、高效率和小尺寸封装的电子系统中。常见应用包括便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备)中的电源管理电路、DC-DC转换器中的同步整流器、负载开关控制电路、电池管理系统(BMS)、LED驱动电路以及信号路由和逻辑控制电路。由于其双MOSFET结构,它也可用于构建H桥电路以控制小型直流电机。

替代型号

Si2302DS, 2N7002DW, BSS138, 2N7001

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