ME2N7002DKW-G 时间：2025/8/14 2:30:05 阅读：71

ME2N7002DKW-G是一款由Magnetics Engineering制造的双N沟道MOSFET晶体管。该器件采用SOT-363封装，适用于需要低导通电阻和高速开关性能的电源管理应用。ME2N7002DKW-G在设计上具有优异的热稳定性和可靠性，适合用于便携式电子设备、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等应用场景。

参数

类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
　　配置：双N沟道
　　漏极-源极电压（Vds）：20V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：100mA（每个通道）
　　导通电阻（Rds(on)）：5Ω（最大值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装：SOT-363（SC-70）
　　安装类型：表面贴装

特性

ME2N7002DKW-G具备多个关键特性，使其适用于现代电子设计中的多种应用。首先，其双N沟道MOSFET结构允许在一个封装中集成两个独立的晶体管，有助于节省PCB空间并提高系统集成度。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下的高效能，减少了功率损耗，提高了整体系统的能效。此外，ME2N7002DKW-G具有良好的热稳定性和过温保护能力，能够在高温环境下保持稳定工作，提高了系统的可靠性和寿命。该器件的高速开关性能也使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和负载开关。最后，其SOT-363封装结构具备良好的焊接稳定性和机械强度，适合自动化生产流程，降低了制造成本。

应用

ME2N7002DKW-G广泛应用于需要低功耗、高效率和小尺寸封装的电子系统中。常见应用包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理电路、DC-DC转换器中的同步整流器、负载开关控制电路、电池管理系统（BMS）、LED驱动电路以及信号路由和逻辑控制电路。由于其双MOSFET结构，它也可用于构建H桥电路以控制小型直流电机。