时间：2025/4/28 20:08:09
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FQPF7N60是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、直流电机驱动、逆变器和负载开关等领域。其耐压为600V，能够满足高电压环境下的工作需求，并且具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。
该MOSFET在设计上注重效率与可靠性，适合需要高性能开关特性的应用场合。其栅极阈值电压范围使得驱动电路设计更加灵活，同时具备快速开关速度，减少开关损耗。
最大漏源电压：600V
最大漏极电流：7A
最大功耗：115W
导通电阻（典型值）：2.8Ω
栅极阈值电压：2V~4V
输入电容：135pF
总栅极电荷：35nC
连续工作结温范围：-55℃~150℃
1. 高耐压600V，适用于高压场景。
2. 较低的导通电阻2.8Ω，有助于降低导通损耗。
3. 快速开关特性，可显著减少开关过程中的能量损耗。
4. 封装形式为标准TO-220，便于散热和安装。
5. 支持宽范围的工作温度，适应各种恶劣环境条件。
6. 栅极驱动电压范围适中，兼容多种控制电路配置。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 直流电机驱动电路中的功率控制开关。
3. 逆变器及不间断电源（UPS）系统。
4. 各种负载开关应用，例如LED驱动和电池管理。
5. 继电器替代方案，提供更高效、更长寿命的电子开关功能。
IRF740,
STP7NF60,
FDP18N60,
K750,
IXFN60N75T
