时间：2025/7/9 9:41:05
阅读：32
ME2108B56M3G 是一款由 Micron（镁光）生产的 NAND Flash 存储芯片，采用 3D TLC 技术，具有高密度和高性能的特点。该芯片广泛应用于消费电子、嵌入式设备和工业存储领域，提供大容量的数据存储能力，同时具备较低的功耗和较高的可靠性。
这款 NAND Flash 芯片支持 ONFI（Open NAND Flash Interface）标准，能够实现高速数据传输，并且兼容多种主控方案，便于系统集成。
容量：56 Gb
工艺技术：3D TLC
接口标准：ONFI 4.0
工作电压：1.8V / 3.3V
封装形式：BGA
页面大小：16 KB
区块大小：8 MB
擦写寿命：约 1000 次
数据保留时间：≥ 10 年
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
ME2108B56M3G 采用先进的 3D TLC 架构，相比传统平面 NAND 提供更高的存储密度和更低的单位成本。它支持 ONFI 4.0 接口协议，数据传输速率可达 400 MT/s，适用于对性能要求较高的应用环境。
此外，该芯片内置 ECC（Error Correction Code）引擎，可有效纠正位错误并提升数据可靠性。其低功耗设计非常适合便携式设备，而宽温版本则满足工业级应用场景的需求。
在物理特性方面，ME2108B56M3G 使用 BGA 封装，尺寸紧凑，适合空间受限的设计。其区块和页面大小经过优化，能平衡性能与效率，同时简化固件开发流程。
ME2108B56M3G 主要应用于需要大容量存储的各种场景，包括但不限于以下领域：
1. 嵌入式系统：如 IoT 网关、路由器和工业控制器等设备中的数据存储。
2. 消费电子产品：例如智能电视、机顶盒、平板电脑和个人数码助理 (PDA)。
3. 工业自动化：用于数据记录、程序存储和日志保存。
4. 固态硬盘 (SSD)：作为核心存储介质构建更高性能的企业级或消费级 SSD。
5. 汽车电子：支持导航系统、信息娱乐单元及高级驾驶辅助系统 (ADAS) 的存储需求。
MT29F56G08CBADB, KBG30ZMV512G, NX30LHCT512T
