ME15N10 是一款 N 沣道通 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率 MOSFET 的一种。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于各种电源管理领域,如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。ME15N10 在性能上能够满足高效能转换和低损耗的要求,是现代电子设计中的重要元件。
其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK,具体视厂商而定,适合高电流应用。
最大漏源电压:100V
最大连续漏极电流:15A
栅极电荷:30nC
导通电阻:8mΩ
开关时间:t_on=30ns, t_off=45ns
工作温度范围:-55°C 至 150°C
ME15N10 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流条件下减少功耗并提升效率。
2. 快速的开关特性使其非常适合高频应用,例如开关电源和逆变器。
3. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 内置反向恢复二极管,有助于减少开关噪声和提高系统可靠性。
5. 封装形式兼容性强,易于集成到各种电路设计中。
这些特性使得 ME15N10 成为许多高性能应用的理想选择。
ME15N10 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率级开关。
2. 电池管理系统 (BMS) 的负载切换。
3. 工业自动化设备中的电机驱动控制。
4. LED 照明驱动电路中的恒流控制。
5. 数据通信设备中的电源管理和信号调节。
由于其出色的性能和稳定性,ME15N10 可以在多种复杂环境中提供可靠的服务。
IRF540N
STP16NF10
FDP17N10