ME13N10A 时间：2025/6/28 22:25:25 阅读：5

ME13N10A是一款基于MOSFET技术的增强型N沟道场效应晶体管（FET）。该器件通常用于功率开关、负载切换和DC-DC转换等应用中，具有低导通电阻、高效率和快速开关特性。ME13N10A在设计上优化了热性能和电气性能，使其能够胜任多种工业和消费类电子场景。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：13A
　　栅极阈值电压：2V~4V
　　导通电阻：0.08Ω（典型值，10V驱动）
　　功耗：16W
　　结温范围：-55℃~175℃

特性

ME13N10A具备以下主要特性：
　　1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提升效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
　　3. 较高的漏源击穿电压（BVDSS），确保其在高压条件下稳定运行。
　　4. 小封装尺寸，便于PCB布局设计。
　　5. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
　　6. 稳定的温度特性，支持高温工作环境。
　　7. 内置ESD保护，提高器件的可靠性。

应用

ME13N10A广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器及降压/升压电路。
　　3. 汽车电子中的电机控制和负载切换。
　　4. 工业设备中的功率管理模块。
　　5. 消费类电子产品中的电池管理系统（BMS）。
　　6. 通信设备中的信号调节与功率传输。