IXGP12N100A 时间：2025/8/6 1:40:38 阅读：21

IXGP12N100A 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高电压和高功率应用中。该器件设计用于在高电压下提供高效、可靠的性能，适用于如电源、电机控制、照明系统和 DC-DC 转换器等应用场景。

参数

类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
　　沟道类型：N 沟道
　　最大漏源电压（Vds）：1000V
　　最大漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：约 0.68Ω
　　功率耗散（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXGP12N100A 提供了一系列重要的性能特性，使其在高电压和高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力达到 1000V，使其能够承受极端电压条件而不发生击穿。此外，该 MOSFET 在导通状态下的电阻（Rds(on)）约为 0.68Ω，确保在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高整体效率。该器件的额定漏极电流为 12A，能够在高电流负载下稳定运行。功率耗散能力为 125W，确保其在高功耗应用中仍能保持良好的热稳定性。该器件采用 TO-247 封装，便于安装和散热。此外，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种环境条件，包括工业和汽车应用。这些特性使得 IXGP12N100A 成为高效率、高可靠性的理想选择。
　　此外，该 MOSFET 的设计优化了开关性能，降低了开关损耗，使其在高频开关应用中也能保持高效运行。同时，其内部结构具有较强的抗雪崩能力，提高了器件在异常工作条件下的可靠性。此外，该器件的栅极驱动要求较低，通常只需 10V 左右的栅极电压即可完全导通，简化了驱动电路的设计。

应用

IXGP12N100A 适用于多种高功率和高电压应用，包括但不限于：电源供应器（如 AC-DC 和 DC-DC 转换器）、不间断电源（UPS）、电机驱动和控制电路、照明系统（如 HID 灯镇流器）、工业自动化设备、太阳能逆变器以及电动汽车相关系统。由于其良好的导通特性和高耐压能力，该器件在电力电子系统中常用于主开关或同步整流器。