MDT10P72K 时间：2025/12/24 16:53:23 阅读：11

MDT10P72K 是一款由Microsemi（现为L3Harris Technologies的一部分）推出的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件主要用于高功率、高频的电子应用，例如电源管理、开关电路和功率放大器等。MDT10P72K具有高耐压能力和低导通电阻特性，能够在极端条件下稳定工作。其封装形式为TO-247，便于散热和高电流承载。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：720V
　　最大漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为720mΩ
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　栅极阈值电压：2V至4V
　　封装类型：TO-247

特性

MDT10P72K 的主要特性之一是其优异的高电压耐受能力，最高漏源电压可达720V，使其适用于高压电源和功率转换设备。此外，该器件具有较低的导通电阻，典型值为720mΩ，这有助于减少导通损耗，提高整体系统的效率。MDT10P72K 还具有良好的热性能，TO-247封装设计使其能够有效散发工作过程中产生的热量，从而提高稳定性和可靠性。
　　另一个重要特性是其较高的电流处理能力，最大漏极电流为10A，适用于中等功率的开关应用。同时，该MOSFET具有快速开关能力，适用于高频应用场合，例如DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路。此外，其栅极阈值电压范围为2V至4V，使得该器件能够与多种驱动电路兼容，从而提高了设计的灵活性。
　　在可靠性方面，MDT10P72K 经过严格的设计和测试，能够适应宽温度范围（-55°C至+150°C）的工作环境，适用于工业和汽车电子等严苛应用场景。此外，该器件具备一定的抗瞬态电压和电流冲击能力，能够在负载突变的情况下保持稳定运行。

应用

MDT10P72K 主要应用于高电压和高功率的电子系统中，常见的应用领域包括电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、功率因数校正（PFC）模块以及电机驱动电路。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件特别适用于需要高效能和高稳定性的高压电源系统，例如工业自动化设备、UPS不间断电源、光伏逆变器以及电动汽车充电系统。
　　在消费类电子产品中，MDT10P72K 可用于LED照明驱动、智能家电的电源管理模块等场景。此外，该器件还适用于需要高频开关能力的射频功率放大器和通信设备，为高频率工作提供可靠支持。由于其良好的热管理和抗冲击能力，该MOSFET在汽车电子系统中也得到广泛应用，例如车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电动助力转向系统（EPS）等。
　　在工业控制领域，MDT10P72K 可用于变频器、伺服电机驱动器和自动化控制系统中的功率开关电路。其优异的电气特性和热稳定性，使其成为设计高压功率转换器时的优选器件。