时间：2025/9/14 10:03:17
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PSMN5R6-100BS,118 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，适用于各种高效率电源管理应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供了优异的导通电阻与开关性能的平衡。该型号封装为D2PAK（TO-263），适合表面贴装，具有良好的热性能和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：80A（Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：5.6mΩ（最大值，VGS=10V）
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：D2PAK（TO-263）
PSMN5R6-100BS,118 MOSFET采用了Nexperia的高级Trench技术，显著降低了导通电阻，并优化了开关损耗，适用于高频率和高效率电源转换应用。该器件的RDS(on)仅为5.6mΩ，确保了在高电流条件下的低功耗表现。此外，其高电流承载能力和优异的热稳定性使其在高负载条件下依然能够保持可靠运行。
该MOSFET的封装设计（D2PAK）支持表面贴装工艺，提高了装配效率，并具备出色的散热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等应用场景。其宽泛的工作温度范围（-55℃至175℃）也使得该器件适用于严苛环境下的工业和汽车电子系统。
该器件还具备优良的雪崩能量耐受能力，增强了其在高压和高电流应用中的稳定性和寿命。
PSMN5R6-100BS,118 常用于高功率密度电源系统，如服务器电源、电信设备、工业自动化控制、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）及电动车辆充电系统。其低导通电阻和高电流能力也使其成为电机驱动和负载开关电路中的理想选择。此外，该器件在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中也有广泛应用。
PSMN5R6-100BS、PSMN4R8-100BS、PSMN2R0-100BS
