时间：2025/7/9 9:47:26
阅读：17
MDP9N50TH 是一款基于 MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管（Power MOSFET）。该器件采用 TO-220 封装，适用于高电压、高电流的应用场合。由于其低导通电阻和快速开关特性，MDP9N50TH 广泛用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用中。
这款器件的设计使其能够承受较高的电压，并在高频开关条件下保持较低的功耗。通过优化栅极电荷和导通电阻之间的权衡，MDP9N50TH 提供了卓越的效率表现。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：5.0A
导通电阻：1.4Ω
栅极电荷：38nC
总功耗：15W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-220
MDP9N50TH 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（900V），适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（1.4Ω @ Vgs=10V），减少传导损耗。
3. 快速开关能力，支持高频操作。
4. 栅极电荷较小，有助于提高开关效率。
5. 热稳定性强，能够在较宽的工作温度范围内正常运行（-55℃至+175℃）。
6. 采用标准 TO-220 封装，便于安装和散热设计。
MDP9N50TH 适用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 逆变器和 UPS 系统中的功率转换。
5. 电磁阀控制及各种工业自动化设备中的负载开关。
6. PFC（功率因数校正）电路中的功率开关元件。
MDP9N50,
IRF840,
FQA9N50C
