时间：2025/6/6 12:52:42
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MDP7N50TH是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用TO-220封装形式。该器件适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及各种工业和消费类电子产品的功率管理应用。其高击穿电压和低导通电阻使其在高压应用中表现出色。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：5.3A
导通电阻：1.2Ω
栅极电荷：45nC
总电容：2800pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
MDP7N50TH具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，适合高压环境下的功率转换。
2. 低导通电阻，在大电流应用中减少功率损耗。
3. 快速开关特性，降低开关损耗并提高效率。
4. 优秀的热稳定性，确保在高温条件下可靠运行。
5. TO-220封装提供良好的散热性能，便于安装和使用。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
MDP7N50TH广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 太阳能逆变器
5. 各类工业设备中的功率管理模块
6. 消费类电子产品中的电源管理系统
MDP7N50,
IRF740,
FDP7N50,
STP7NF50
