类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：36mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：52mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-223
　　引脚数：4

77F151J-TR-RC MOSFET采用了先进的沟槽式功率MOSFET结构，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其低RDS(on)特性在高电流应用中尤为关键，有助于降低功耗和散热需求。该器件支持高达6A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。其栅极驱动电压范围宽广，可在4.5V至10V之间有效工作，兼容多种驱动电路设计。
　　此外，该MOSFET采用SOT-223表面贴装封装，适合自动化生产和高密度PCB布局。SOT-223封装具有较好的散热性能，能够在有限的空间内实现良好的热管理。器件的栅极耐压高达±20V，提高了抗过压能力和稳定性，增强了系统的可靠性。工作温度范围从-55°C到+150°C，适应广泛的工业环境条件。
　　该MOSFET具备快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关电源和PWM控制应用。同时，其低电容特性也有助于提高开关速度和效率，减少电磁干扰（EMI）。在保护方面，该器件内置了静电放电（ESD）保护结构，提升了器件在制造和使用过程中的抗静电能力。

77F151J-TR-RC MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统中的DC-DC转换器、负载开关电路、电机驱动器、电池充电器、便携式电子设备的功率控制、LED照明驱动电路、工业自动化控制系统、以及消费类电子产品中的功率开关。其优异的性能和紧凑的封装形式使其成为空间受限和高效率要求应用的理想选择。

Si2302DS, AO3400A, FDS6675, BSS138K