时间：2025/6/21 18:50:26
阅读：4
MDP12N50TH是一种高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动和功率转换等领域。该器件采用TO-247封装，具有高击穿电压和低导通电阻的特点，适用于高压环境下的高效功率管理应用。
MDP12N50TH是一款N沟道增强型MOSFET，其设计目标是满足工业和汽车应用中对效率和可靠性的严格要求。通过优化的制造工艺，该器件在高频工作条件下仍能保持较低的损耗。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：12A
栅极阈值电压：4V
导通电阻（典型值）：90mΩ
总功耗：175W
结温范围：-55℃至150℃
MDP12N50TH的主要特性包括：
1. 高击穿电压，能够承受高达500V的漏源电压，适用于高压场景。
2. 低导通电阻，典型值为90mΩ，在大电流应用中减少功率损耗。
3. 快速开关性能，降低开关损耗，适合高频开关应用。
4. TO-247封装提供良好的散热性能，确保在高温环境下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠性高。
6. 内置ESD保护，提高器件的抗静电能力。
MDP12N50TH适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 不间断电源（UPS）系统中的逆变器部分。
4. 太阳能逆变器中的DC-AC转换模块。
5. 工业自动化设备中的负载开关。
6. 汽车电子系统中的高压控制单元。
MDP10N50T, MDP15N50T, IRFP460
