类型：功率MOSFET
　　封装类型：TO-247
　　最大漏源电压（VDS）：1800V
　　最大漏极电流（ID）：65A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω
　　栅极电荷（Qg）：典型值150nC
　　最大工作温度：150°C
　　最小/最大存储温度：-55°C至150°C
　　漏极-源极击穿电压：1800V
　　漏极-栅极击穿电压：25V
　　栅极-源极电压范围：±20V
　　封装尺寸：TO-247（3引脚）

MDMA65P1800TG具有多项优异的电气和热性能特性。其1800V的高耐压能力使其适用于高压电源转换系统。低导通电阻（RDS(on)）为0.18Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件还具有良好的热稳定性，能够在高功率负载下保持稳定运行，且封装设计支持高效的散热管理。MDMA65P1800TG的栅极电荷（Qg）较低，约为150nC，能够实现快速开关操作，从而降低开关损耗，适用于高频开关电路。此外，其栅极驱动电压范围宽，支持在不同工作条件下稳定运行。该MOSFET具有高可靠性和长寿命，适合在严苛环境中使用。

MDMA65P1800TG广泛应用于需要高功率和高耐压能力的电子系统中。常见的应用包括高压DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及电能质量管理系统。由于其良好的开关性能和热稳定性，它也适用于高频开关电源和功率因数校正（PFC）电路。此外，该器件还可用于电动汽车（EV）充电系统和储能系统中的功率控制模块。

IXGH65N180T、FF650R18KE3、STW110N180K、MDMA75P1800TG